Dersin Adı | Kodu | Yarıyıl | T+U+L (saat/hafta) | Türü (Z / S) | Yerel Kredi | AKTS |
---|---|---|---|---|---|---|
Elektronik I | EEE 303 | Güz | 03+00+02 | Seçmeli | 4 | 7 |
Akademik Birim: | Elektrik-Elektronik Mühendisliği |
Öğrenim Türü: | Örgün Eğitim |
Ön Koşullar | EEE 203 |
Öğrenim Dili: | İngilizce |
Dersin Düzeyi: | Lisans |
Dersin Koordinatörü: | - - |
Dersin Amacı: | Yarı iletken devre elemanlarının yapısını, işleyişini ve alçak frekanslardaki özelliklerini öğrenerek, analog ve sayısal elektronik devrelerin analiz ve tasarımı için bir temel sağlamak. Elektronik devrelerin kurulum ve testini yaparak uygulama tecrübesi kazandırmak. |
Dersin İçeriği: | Yarı iletken fiziği; yarı iletken elemanlar: diyot, transistörler (BJT, JFET, MOSFET) yarı iletken elemanların yapıları, DC özellikleri ve kullanımı; BJT ve FET yükselticiler. Modül projeleri: Diyotlar ve Uygulamaları, Bipolar Tranzistörler, Bipolar Tranzistörlü Kuvvetlendirici, Bipolar Tranzistörlü Kuvvetlendirici Tasarımı, Alan Etkili Tranzistörler. |
Dersin Öğrenme Çıktıları (ÖÇ): |
|
Dersin Öğrenme Yöntem ve Teknikleri | Ders, kendi başına öğrenme çalıştayları, benzetim çalışmaları, laboratuvar çalışmaları ve ölçümleri, proje çalışması |
Hafta | Konular | Ön Hazırlık |
---|---|---|
1 | Yarıiletken malzemeler ve p-n eklemi. | Ders kitabı Bölüm 1 |
2 | Diyot devrelerinin analizi ve tasarımı (doğrultucu, kırpıcı, kaydırma devreleri): teknik katalog, tasarım, benzetim, uygulamalı devre kurulumu ve ölçümler. | Ders kitabı Bölüm 2 |
3 | Zener diyot ve güç kaynakları (doğrultucu, filtre) | |
4 | Proje-I: İşlevsel ve devre tasarımı, benzetim, çalıştırma. | |
5 | Sınav-I Proje-I: sunum ve demo | |
6 | BJT (Bipolar transistör) yapısı ve özellikleri. Teknik katalog, DC özellikleri, benzetim, özelliklerinin ölçülmesi | Ders kitabı Bölüm 3, sayfa 97-130 |
7 | BJT devrelerinin DC analizi ve kutuplaması: tasarım, benzetim, uygulamalı devre kurulumu ve ölçümler. | Ders kitabı Bölüm 3, sayfa 131-150 |
8 | MOS transistörün yapısı ve özellikleri. Teknik katalog, DC özellikleri, benzetim, özelliklerinin ölçülmesi | Ders kitabı Bölüm 5, sayfa 243-282 |
9 | MOS devrelerinin DC analizi ve kutuplaması: tasarım, benzetim, uygulamalı devre kurulumu ve ölçümler. | |
10 | Sınav-II Proje-II: sunum ve demo | |
11 | BJT/MOS yükselticilerin analizi ve tasarımı (CE/CS): tasarım, benzetim, uygulamalı devre kurulumu ve ölçümler. | Ders kitabı Bölüm 4, sayfa 163-204 Ders kitabı Bölüm 6, sayfa 313-370 |
12 | Çok katlı yükselticilerin analizi ve tasarımı (CC/CD, CB/CG): tasarım, benzetim, uygulamalı devre kurulumu ve ölçümler. | |
13 | BJT ve MOS devrelerinin kutuplaması: tasarım, benzetim, uygulamalı devre kurulumu ve ölçümler. | |
14 | Sınav-III Final projesi |
Electronic Circuit Analysis and Design, 0071181768, D. A. Neamen, McGraw-Hill, (new edition: Microelectronics Circuit Analysis and Design 4. th ed. 9780073380643 / 0073380644) |
Elecronic Devices and Circuit Theory, R.L. Boylestad, L. Nashelsky, Prentice Hall, 2009, 013769282X, KHÜ: TK7867 .B695 2009 Electronic Circuit Analysis [electronic resource] B. V. Rao, 2012 XX(284434.1) Introductory Electronic Devices and Circuits, M. Hassul, D.E. Zimmerman, Prentice Hall, 1997, 0135008697 KHÜ: TK7867 .H367 1997 Microelectronic Devices and Circuits, C. Fonstad, McGraw-Hill, 1994, 0070214964 KHÜ: TK7874 .F645 1994 Microelectronic Circuits, A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford, 1998 KHÜ: TK7867 .S39 1998 |
Yarıyıl İçi Çalışmaları | Sayı | Katkı Payı (%) |
---|---|---|
Laboratuvar | 3 | 15 |
Proje | 1 | 25 |
Ara Sınavlar | 3 | 30 |
Proje Raporları | 2 | 30 |
Total: | 9 | 100 |
Etkinlikler | Sayısı | Süresi (saat) | Toplam İş Yükü (saat) |
---|---|---|---|
Proje | 1 | 25 | 25 |
Diğer Uygulamalara Hazırlık | 2 | 15 | 30 |
Dersle İlgili Sınıf Dışı Etkinlikler | 10 | 5 | 50 |
Öğretim Elemanlarının Etkin Olduğu Sınıf İçi Çalışmalar | 14 | 3 | 42 |
Öğrencilerin Etkin Olduğu Sınıf İçi Çalışmalar | 14 | 2 | 28 |
Toplam İş Yükü (saat): | 175 |