| Akademik Birim: |
|
| Öğrenim Türü: |
Örgün eğitim |
| Ön Koşullar |
Devre analizi |
| Öğrenim Dili: |
İngilizce |
| Dersin Düzeyi: |
Lisans |
| Dersin Koordinatörü: |
Arif Selçuk ÖĞRENCİ |
| Dersin Amacı: |
Yarı iletken devre elemanlarının yapısını, işleyişini ve alçak frekanslardaki özelliklerini öğrenerek, analog ve sayısal elektronik devrelerin analiz ve tasarımı için bir temel sağlamak |
| Dersin İçeriği: |
Yarı iletken fiziği yarı iletken elemanlar: diyot, transistörler (BJT, JFET, MOSFET) yarı iletken elemanların yapıları, DC özellikleri ve kullanımı BJT ve FET yükselticiler. |
| Dersin Öğrenme Çıktıları (ÖÇ): |
- 1- Diyot, çift kutuplu transistör ve alan etkili transistörlerin yapısını ve işleyiş prensiplerini açıklayabilme becerisi.
- 2- Güç kaynağı için düzeltici, filtre ve regülasyon devrelerini tasarlama becerisi
- 3- Diyot, BJT ve FET içeren devrelerin DC analizini yapabilme becerisi
- 4- BJT ve FET içeren devrelerin alçak frekanslarda küçük işaret analizini yapabilme becerisi
- 5- Temel eleman özelliklerinin (DC) elde edilmesi için katalog kullanabilme becerisi.
- 6- Analiz ve tasarım amacıyla, şema çizim ve devre benzetimi yazılımını (DC ve zaman benzetimi) etkin kullanabilme becerisi.
- 7- Verilen giriş ve çıkış direnci, kazanç, en fazla DC güç kullanımı gibi performans gereksinimlerini karşılayacak tek/çift katlı bir yükselticiyi tasarlayabilme becerisi
- 8- Takım halinde çalışarak yeni teknolojiler ve yeni elektronik bileşenler hakkında araştırma yapabilmek; bunlar hakkında sunum hazırlamak ve yapmak
|
| Dersin Öğrenme Yöntem ve Teknikleri |
Bilgisayar Kullanımı: Öğrenciler Multisim veya benzeri SPICE tabanlı bir Devre Benzetim Yazılımı devre şeması girişi ve benzetim için kullanacaklardır.
Problem Saati: Dersin Araştırma Görevlisi örnek problemleri çözer. |
| Hafta | Konular | Ön Hazırlık |
| 1 |
Devre analizi. Yarıiletken malzemeler ve p-n eklemi.
|
Ders kitabı Bölüm 1, sayfa 1-41 |
| 2 |
Diyot özellikleri |
|
| 3 |
Diyot devrelerinin analizi ve tasarımı: Doğrultucu, kırpıcı, kaydırma devreleri |
Ders kitabı Bölüm 2, sayfa 49-85 |
| 4 |
Zener diyot ve güç kaynakları |
|
| 5 |
Ara sınav-I
BJT (Bipolar transistör) yapısı ve özellikleri
|
Ders kitabı Bölüm 3, sayfa 97-130 |
| 6 |
BJT devrelerinin DC analizi |
|
| 7 |
BJT devrelerinin DC analizi ve kutuplaması |
Ders kitabı Bölüm 3, sayfa 131-150 |
| 8 |
BJT yükselticilerin analizi (CE, CB, CC) |
Ders kitabı Bölüm 4, sayfa 163-204 |
| 9 |
BJT yükselticilerin analizi ve tasarımı (CE, CB, CC) |
Ders kitabı Bölüm 4, sayfa 205-229 |
| 10 |
Ara sınav-II
MOS transistörlerin yapısı ve özellikleri
|
Ders kitabı Bölüm 5, sayfa 243-282 |
| 11 |
MOSFET ve JFET özellikleri |
|
| 12 |
MOS devrelerinin DC analizi |
|
| 13 |
MOS yükselticilerin analiz ve tasarımı |
Ders kitabı Bölüm 6, sayfa 313-370 |
| 14 |
Yeni teknolojiler, diğer (yeni) diyot ve transistor çeşitleri (Öğrencilerin dönem projesi sunumları). |
|
Kadir Has Üniversitesi'nde bir dönem 14 haftadır, 15. ve 16. hafta sınav haftalarıdır.
1. Elecronic Devices and Circuit Theory, R.L. Boylestad, L. Nashelsky, Prentice Hall, 2009, 013769282X, KHÜ: TK7867 .B695 2009
2. Electronic Circuit Analysis [electronic resource] B. V. Rao, 2012 XX(284434.1)
3. Introductory Electronic Devices and Circuits, M. Hassul, D.E. Zimmerman, Prentice Hall, 1997, 0135008697 KHÜ: TK7867 .H367 1997
4. Microelectronic Devices and Circuits, C. Fonstad, McGraw-Hill, 1994, 0070214964 KHÜ: TK7874 .F645 1994
5. Microelectronic Circuits, A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford, 1998 KHÜ: TK7867 .S39 1998 |
PROGRAM YETERLİLİKLERİ (PY) ve ÖĞRENME ÇIKTILARI (ÖÇ) İLİŞKİSİ
| # |
PY1 |
PY2 |
PY3 |
PY4 |
PY5 |
PY6 |
PY7 |
PY8 |
PY9 |
PY10 |
PY11 |
| OC1 |
3 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| OC2 |
2 |
|
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| OC3 |
2 |
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| OC4 |
2 |
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| OC5 |
|
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| OC6 |
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
|
| OC7 |
2 |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| OC8 |
|
|
|
|
|
|
1 |
2 |
|
|
|
Katkı Düzeyi: 1 Düşük, 2 Orta, 3 Yüksek
